艾邦調(diào)研團(tuán)隊(duì)首先參觀了光華科技通過(guò)國(guó)家CNAS認(rèn)證的實(shí)驗(yàn)和檢測(cè)中心，重點(diǎn)了解了光華科技產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、系列產(chǎn)品等情況。

光華科技相關(guān)復(fù)合銅箔專(zhuān)用化學(xué)品在實(shí)際產(chǎn)線(xiàn)的應(yīng)用

硫酸銅CuSO₄·5H₂O

• 提供反應(yīng)所必須的金屬離子,即供給槽液銅離子的主源。

• 配槽時(shí)要用化學(xué)級(jí)含水硫酸銅結(jié)晶溶解使用,平常作業(yè)中則由陽(yáng)極磷銅塊解離補(bǔ)充,為一鹽橋并增加槽液的極限電流密度,配液后要做活性炭處理。

光華科技擁有：

• 先進(jìn)的純化工藝，嚴(yán)格的生產(chǎn)控制，產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定；

• 純度高，雜質(zhì)含量低，指標(biāo)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先;

• TOC含量極低，開(kāi)缸無(wú)需做碳處理;

• 結(jié)晶細(xì)致均勻，水溶解性好；

• 鍍層均勻性、延展性和熱應(yīng)力等效果;

• 品質(zhì)達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平，并擁有一批國(guó)際知名客戶(hù)。

硫酸H₂SO₄

• 增加溶液的導(dǎo)電性及陽(yáng)極的溶解。

• 對(duì)可溶性陽(yáng)極來(lái)說(shuō)，可腐蝕陽(yáng)極。

鹽酸HCl

• 在陰極與抑制劑協(xié)同作用，抑制銅的沉積速率。

• 對(duì)可溶性陽(yáng)極來(lái)說(shuō)，可腐蝕陽(yáng)極，防止陽(yáng)極鈍化。

• 可以減緩陽(yáng)極銅的析出率(均勻溶解),并擔(dān)任電子傳遞之角色,氯離子正常時(shí)陽(yáng)極墨呈黑色,過(guò)量時(shí)變成灰白色。

整平劑SP Leveler

多為含氮有機(jī)物，其主要功用是吸附在高電流密度區(qū)（凸起區(qū)或轉(zhuǎn)角處），使該處電鍍進(jìn)行趨緩，而不影響低電流密度區(qū)（凹陷區(qū)）電鍍，藉此用來(lái)整平鍍面，因此在一般電鍍時(shí)可添加亦可不添加。在高銅低酸系統(tǒng)中，容易使鍍面粗糙，整平劑可有效改善鍍面不良之外觀問(wèn)題。

光澤劑、細(xì)晶劑SP Brightener

• 可作為銅離子沉積在陰極表面晶種，降低銅離子還原時(shí)的活化能，進(jìn)而增加銅沉積速率。

• 光澤劑的加入利于新晶核的形成，所以使銅沉積時(shí)晶粒較細(xì)致，除了可產(chǎn)生光澤鍍層外，亦可增進(jìn)其物性。

抑制劑、潤(rùn)濕劑SP Wetter

• 與氯離子協(xié)同作用，與銅離子形成錯(cuò)合物，增加銅離子在陰極表面還原過(guò)電壓，抑制銅的沉積速率。

• 通常為聚醚類(lèi)的長(zhǎng)鏈聚合物，因其易與銅離子形成錯(cuò)合物，受到電場(chǎng)影響，載運(yùn)著銅離子一同遷移至陰極表面；所以易于吸附在板面上高電位區(qū)形成電阻層，使板面勻性提高。

氧化銅

• 光華科技擁有國(guó)際先進(jìn)水平的全自動(dòng)化氧化銅生產(chǎn)設(shè)備；

• 使用高純電解銅做原料，不使用回收銅,雜質(zhì)含量低；

• 粉末顆粒細(xì)致均勻，流動(dòng)性好，溶解速度快；

• 酸不溶物含量極低，溶解后澄清度高;

• 嚴(yán)格的生產(chǎn)工藝控制，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定；

• 實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，市場(chǎng)占有率連續(xù)多年在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)位居首位。

目前使用光華科技水電鍍化學(xué)品后，制造的復(fù)合銅箔的測(cè)試性能如下：

• 均勻性10%的誤差，覆蓋能力方面符合要求；

• 結(jié)合力在3M膠帶的拉力下可以達(dá)到50次的能力；

• 電阻可以達(dá)到20毫歐以下，有效降低表面電阻；

• 延展性能達(dá)到20%以上，延展性能優(yōu)越；

• 能用CVS準(zhǔn)確分析管控。